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離子遷移不再困擾：高效覆蓋膜解決方案

隨著(zhù)電子設備在提高性能的同時(shí)向著(zhù)小型化、輕量化方向發(fā)展，產(chǎn)品集成度越來(lái)越高，FPC的線(xiàn)寬線(xiàn)距越來(lái)越小。當FPC在高溫高濕的環(huán)境下工作時(shí)，細線(xiàn)路間易形成導電性枝晶，降低線(xiàn)路間的絕緣可靠性，甚至導致FPC短路失效。離子遷移造成的電子產(chǎn)品元器件電化學(xué)腐蝕成為下游FPC廠(chǎng)近幾年最嚴重的質(zhì)量問(wèn)題。

提高PCB基材的耐離子遷移性成為了電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中的迫切需求。因此，對于精細線(xiàn)路制程工藝，與之匹配的抗枝晶（Anti-dendrite）材料就顯得十分必要。抗枝晶（Anti-dendrite）材料的使用，能有效降低細線(xiàn)路間產(chǎn)生枝晶的風(fēng)險，提高FPC的可靠性。

耐離子遷移的產(chǎn)生條件

電化學(xué)遷移通常是指在電場(chǎng)作用下使金屬離子發(fā)生遷移的現象，其形成的必要條件：電勢差、電解質(zhì)溶液、離子遷移通道、可遷移物質(zhì)。

電勢差：當FPCB使用通電時(shí)，通路之間會(huì )形成一定的電勢差。

電解質(zhì)溶液：環(huán)境條件下的水汽，FPCB制程中的污染物離子及有膠材料膠粘劑中的雜質(zhì)離子，可形成可導電的電解質(zhì)溶液。

離子遷移通道：環(huán)氧膠系覆蓋膜在熱固化過(guò)程中會(huì )形成一些微小孔隙及空洞，就可為離子遷移提供通道。

可遷移物質(zhì)：焊點(diǎn)Sn、 焊盤(pán)Ni、基材Cu等可參與電化學(xué)反應的金屬及其離子。

耐離子遷移覆蓋膜優(yōu)勢

相對于normal CVL ：

l 更低的鹵素水平

l 更優(yōu)秀的高溫耐老化能力

l 1000H耐離子遷移能力，無(wú)枝晶

相對于其他廠(chǎng)家Anti-dendrite CVL

l 更好的操作性

l 更優(yōu)良的基礎物性和耐老化信賴(lài)性

l 更具有競爭力的價(jià)格

技術(shù)參數

ZYC-C系列CVL耐離子遷移性能突出，適合精細線(xiàn)路設計FPC制程。

耐離子遷移覆蓋膜——鹵素對比

Anti-dendrite產(chǎn)品具有較Normal產(chǎn)品更低的鹵素水準，更耐離子遷移。

 Normal CVL 428ppm

耐離子遷移覆蓋膜——遷移測試

Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK

*500h Normal cvl部分樣品發(fā)生微短

耐離子遷移覆蓋膜——測試設備

雙85環(huán)境下50V直流電壓對樣品進(jìn)行測試1000H

Migration test 1000H OK , no dendrite